[实用新型]一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置有效
| 申请号： | 201320049654.4 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN203084059U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杨良春 | 申请（专利权）人： | 北京信诺达泰思特科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100010 北京市东城*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中：所述待测量半导体分立器件Q1的电压测试端，与所述高压源连接，并经过所述电阻R1连接至电流测试电路的输入端；所述电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的0V电压端。本实用新型所述基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，可以克服现有技术中测试精度低、可靠性差和成本高等缺陷，以实现测试精度高、可靠性好和成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 分立 器件 测试 系统 高压 装置 | ||
【主权项】：
一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中：所述待测量半导体分立器件Q1的电压测试端，与所述高压源连接，并经过所述电阻R1连接至电流测试电路的输入端；所述电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的0V电压端。
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