[实用新型]大电流半导体器件以及大电流半导体器件框架有效
申请号: | 201320059953.6 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN203218250U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 郭可桢;熊会军;徐锐 | 申请(专利权)人: | 意法半导体制造(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/495 |
代理公司: | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人: | 刘耿 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供大电流半导体器件以及大电流半导体器件框架,包括通过树脂密封封装的芯片,至少一栅极引脚和一源极引脚从树脂封装的侧面暴露,芯片的表面形成源极焊盘和栅极焊盘,栅极引脚的接线端与栅极焊盘键合,源极引脚的接线端与源极焊盘键合;源极引脚的接线端通过至少一金属带与源极焊盘键合,本实用新型将芯片中的源极引脚的接线端通过至少一金属带与源极焊盘键合,其中金属带的横截面积的倍数于现有的金属线的横截面积,本实用新型突破了现有的半导体器件由于框架设计及工艺能力的局限,创造性地使用横截面积几倍于常规线型材料的带状键合材料,从而大幅提高产品的抗电流能力。 | ||
搜索关键词: | 电流 半导体器件 以及 框架 | ||
【主权项】:
一种大电流半导体器件,包括通过树脂密封封装的芯片(13),至少一栅极引脚(5)和一源极引脚(6)从所述树脂封装的侧面暴露,所述芯片(13)的表面形成源极焊盘(3)和栅极焊盘(4),所述栅极引脚(5)的接线端与所述栅极焊盘(4)键合,所述源极引脚(6)的接线端与所述源极焊盘(3)键合;其特征在于:所述源极引脚(6)的接线端通过至少一金属带(1)与所述源极焊盘(3)键合。
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