[实用新型]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201320120447.3 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203192844U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 谢新贤;黄田昊;吴上义;吴奕均 | 申请（专利权）人： | 联京光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 发光二极管封装结构包括一金属基板、一凹槽结构、一发光二极管。及一反射层。其中，金属基板的表面上涂布一绝缘层与一线路层，该绝缘层介于线路层与金属基板间。凹槽结构设置于金属基板上，且凹槽结构围绕着发光二极管，且线路层电性连接该发光二极管。该反射层至少设置于该凹槽结构的一第一表面上，该第一表面围绕并面向着该发光二极管，且发光二极管所发出的部分光线被该反射层所反射。本实用新型的有益效果是能够有效提升发光二极管晶粒的光萃取效率，提供给使用者更大的便利性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括： 一金属基板； 一绝缘层，位于该金属基板上方； 一线路层，位于该绝缘层上方； 一凹槽结构，该凹槽结构设置于该金属基板上； 一反射层，设置于该凹槽结构的一第一表面上；以及 一发光二极管，设置于该凹槽结构中，且该发光二极管与该线路层电性连接。
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