[实用新型]高压电路中低压器件的高压阱版图结构有效
| 申请号： | 201320168792.4 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN203150554U | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 闫琳静;刘菁;杨森林;单闯 | 申请（专利权）人： | 北京经纬恒润科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100101 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高压电路中低压器件的高压阱版图结构，包括P型衬底和N阱，所述N阱的侧面和P型衬底之间设有满足高压规则的阻挡层，所述低压器件设置于所述N阱上，所述N阱的阱电位为高压。本申请在不修改现有高压电路结构的前提下，通过在P型衬底和N阱之间设置满足高压规则的阻挡层，减小了N阱周围P型离子的浓度，增加了PN结的宽度，从而避免了P型衬底和N阱之间发生雪崩击穿和齐纳击穿，进而保证了低压器件应用于高压电路时的可靠性，且成本低、易于实现，解决了现有技术的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 电路 低压 器件 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种高压电路中低压器件的高压阱版图结构，包括P型衬底和N阱，其特征在于，所述N阱的侧面和P型衬底之间设有满足高压规则的阻挡层；所述低压器件设置于所述N阱上；所述N阱的阱电位为高压。
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