[实用新型]LED芯片结构有效
| 申请号： | 201320174874.X | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN203218309U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 夏炀 | 申请（专利权）人： | 夏炀 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 243000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种LED芯片结构，包括衬底，覆盖衬底的n型GaN层，n型GaN层引出的n型电极，n型GaN层覆盖的p型GaN层，以及p型GaN层引出的p型电极，n型GaN层与p型GaN层之间设有InGaN/GaN薄膜发光层。本实用新型通过在n型GaN层与p型GaN层之间设有InGaN/GaN薄膜发光层，利用较宽的InGaN能量带隙，极大提高了LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
LED芯片结构，其特征在于，包括衬底(1)，覆盖所述衬底(1)的n型GaN层(2)，所述n型GaN层(2)引出的n型电极(21)，所述n型GaN层覆盖的p型GaN层(3)，以及所述p型GaN层(3)引出的p型电极(31)，所述n型GaN层(2)与p型GaN层(3)之间设有InGaN/GaN薄膜发光层(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏炀，未经夏炀许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320174874.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铝木复合窗
- 下一篇：一种自动定位的二次举升机构
