[实用新型]失调补偿有源负载有效
| 申请号： | 201320249622.9 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN203352544U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | M·H·莱特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及失调补偿有源负载。本实用新型要解决的一个技术问题是减轻电路的输入失调电压。提供了一种失调补偿有源负载，包括：第一晶体管，其具有控制电极及第一载流电极和第二载流电极；第二晶体管，其具有控制电极及第一载流电极和第二载流电极，所述第一晶体管的所述第一载流电极被耦合至所述第二晶体管的所述第一载流电极；多个电荷存储元件，其被耦合在所述第一晶体管的所述控制电极与所述第二晶体管的所述控制电极之间；第一耦合装置；以及第二耦合装置。本实用新型可以用于电子器件。本实用新型的一个有利的技术效果是电路的输入失调电压可以被减轻。 | ||
| 搜索关键词： | 失调 补偿 有源 负载 | ||
【主权项】：
一种失调补偿有源负载，其特征在于，所述失调补偿有源负载包括： 第一晶体管，其具有控制电极及第一载流电极和第二载流电极； 第二晶体管，其具有控制电极及第一载流电极和第二载流电极，所述第一晶体管的所述第一载流电极被耦合至所述第二晶体管的所述第一载流电极； 多个电荷存储元件，其被耦合在所述第一晶体管的所述控制电极与所述第二晶体管的所述控制电极之间； 第一耦合装置，其具有控制端子及第一端子和第二端子，所述控制端子被耦合来接收第一控制信号，所述第一端子被耦合至所述第一晶体管的所述控制电极，而所述第二端子被耦合至所述第一晶体管的所述第二载流电极；以及 第二耦合装置，其具有控制端子及第一端子和第二端子，所述控制端子被耦合来接收第二控制信号，所述第一端子被耦合至所述第二晶体管的所述控制电极，而所述第二端子被耦合至所述第二晶体管的所述第二载流电极。
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