[实用新型]半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 201320252651.0 申请日: 2013-05-11
公开(公告)号: CN203250786U 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 屠建波 申请(专利权)人: 深圳市中策科技发展有限公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 王雨时;熊伟
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种半导体封装结构,包括:基板、半导体模块、封装玻璃,基板与半导体模块之间设置有电气连接结构;半导体模块包括:多个半导体芯片单元,半导体芯片单元包括:衬底、及低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层、P型电极金属全发射层;P型电极金属全发射层上设置有P型电极,衬底底部设置有N型电极;任一半导体模块中的所有半导体芯片单元由同一衬底连接且相互之间电学隔离;任一半导体模块中的所有半导体芯片单元的P型电极电连接;封装玻璃上设置有荧光层;上述的半导体封装结构采用封装玻璃进行封装,有较好的同光性、高温稳定性及密封性。使用玻璃封装的半导体芯片的光线出射率更高,透光性更好。
搜索关键词: 半导体 封装 结构
【主权项】:
一种半导体封装结构,其特征在于,包括:基板、设置在所述基板上的半导体模块、封装所述半导体模块的封装玻璃,所述基板与所述半导体模块之间设置有电气连接结构;所述半导体模块包括:多个半导体芯片单元,所述半导体芯片单元包括:衬底、及于所述衬底上依次生长的低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层、P型电极金属全发射层;所述P型电极金属全发射层上设置有P型电极,所述衬底底部设置有N型电极,所述N型电极与所述N型电子注入层电性连接;所述任意一半导体模块中的所有半导体芯片单元由同一衬底连接且相互之间电学隔离;所述任意一半导体模块中的所有半导体芯片单元的P型电极电连接;所述封装玻璃上于靠近所述半导体芯片单元的内表面设置有荧光层。
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