[实用新型]一种功率MOSFET的沟槽终端结构有效
| 申请号： | 201320254969.2 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN203260588U | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种功率MOSFET的沟槽终端结构，包括衬底和位于衬底上的外延层，包括如下全部特征：所述外延层上具有第一沟槽和第二沟槽；在沟槽内有栅氧化层；所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极；所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板；在第一沟槽和第二沟槽之间以及第一沟槽靠芯片边界一侧具有体区；在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区上面还有源区；在硅片表面还具备隔离氧化层，在隔离氧化层上有与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构。本实用新型以较小的占用面积提高了硅片终端部分的击穿电压，并降低了硅片终端结构的设计难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 沟槽 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET的沟槽终端结构，包括衬底（21）和位于衬底上的外延层（22），包括如下全部特征：所述外延层（22）上具有第一沟槽（18）和第二沟槽（19）；在沟槽内有栅氧化层（23a）；所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极（24a）；所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板（24b）；在第一沟槽（18）和第二沟槽（19）之间以及第一沟槽靠芯片边界（17）一侧具有体区（25）；在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区上面还有源区（27）；在硅片表面还具备隔离氧化层（29），在隔离氧化层上有与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构。
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