[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 201320263131.X | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN203377214U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | S·乔布洛特;P·巴尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑振 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本实用新型的实施方式公开了一种集成电路，包括：半导体衬底，具有从第二表面被厚度间隔开的第一表面、在所述衬底的所述第二表面中形成的具有壁和底部的孔，所述孔延伸穿过所述衬底的所述厚度的至少50％；导电材料，覆盖所述孔的所述壁和所述底部；绝缘材料，在所述孔中位于所述导电材料之上；以及共面线，形成于所述衬底的所述第二表面之上，所述共面线包括位于中心导体的相对侧上的第一侧部导体和第二侧部导体，所述中心导体在所述孔前面并且与所述孔平行，并且其中所述共面线的所述第一侧部导体和所述第二侧部导体电连接到所述孔的所述壁之上的所述导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其特征在于，包括： 半导体衬底，具有从第二表面被厚度间隔开的第一表面、在所述衬底的所述第二表面中形成的具有壁和底部的孔，所述孔延伸穿过所述衬底的所述厚度的至少50％； 导电材料，覆盖所述孔的所述壁和所述底部； 绝缘材料，在所述孔中位于所述导电材料之上；以及 共面线，形成于所述衬底的所述第二表面之上，所述共面线包括位于中心导体的相对侧上的第一侧部导体和第二侧部导体，所述中心导体在所述孔前面并且与所述孔平行，并且其中所述共面线的所述第一侧部导体和所述第二侧部导体电连接到所述孔的所述壁之上的所述导电材料。
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