[实用新型]改良下导线结构的二极管组件有效
| 申请号： | 201320325746.0 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN203288582U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘承苍;黄明德;吴彦呈 | 申请（专利权）人： | 和黄科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 | 代理人： | 陆式敬 |
| 地址： | 中国台湾宜兰县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种改良下导线结构的二极管组件，包含一具有第一接触面的阶梯形上导线，并于第一接触面下方设有一下导线；下导线设有一邻近第一接触面的第二接触面及一相对于第二接触面的底面，并于底面上设有相邻的一切槽及一裸露部，又另于第一接触面与第二接触面之间电接触一晶体，所述晶体及部分上导线和下导线外包覆有一封装体，且使下导线的裸露部外露于封装体表面。本实用新型利用改良后的下导线，使得本实用新型的上导线梯阶高度可与现有的二极管导线通用，制作成各种类型的二极管组件，进而达到降低生产成本及缩减二极管组件厚度的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 导线 结构 二极管 组件 | ||
【主权项】：
一种改良下导线结构的二极管组件，其特征在于包含：设有一阶梯状上导线，所述上导线设有一第一接触面，并于所述第一接触面下方设有一下导线，所述下导线设有一邻近所述第一接触面的第二接触面及一相对于所述第二接触面的底面，并于所述底面上设有相邻的一切槽及一裸露部；所述第一接触面与第二接触面之间电接触一晶体，并另设有一封装体，包覆所述晶体及部分上导线和下导线，使所述裸露部外露于所述封装体。
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