[实用新型]一种抗静电的发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201320358928.8 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN203406318U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 牛志宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市德颖光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 523330 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体发光技术领域，具体地说，涉及一种抗静电的发光二极管外延片。本实用新型包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上从下至上依次设有GaN缓冲层、GaN下电流扩展层、下导电层、发光层、上导电层、GaN上电流扩展层；所述GaN下电流扩展层连接有第一电极，所述GaN上电流扩展层连接有第二电极；在GaN缓冲层和GaN下电流扩展层之间还设有AIGaN过渡层和高温GaN缓冲层。本实用新型通过设置AIGaN过渡层和InGaN过渡层，使得GaN在蓝宝石衬底上生长的缺陷得到有效抑制，有利于提高发光二极管的抗静电能力，P-N结不易被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗静电 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种抗静电的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上从下至上依次设有GaN缓冲层、GaN下电流扩展层、下导电层、发光层、上导电层、GaN上电流扩展层；所述GaN下电流扩展层连接有第一电极，所述GaN上电流扩展层连接有第二电极；其特征在于：在GaN缓冲层和GaN下电流扩展层之间还设有AIGaN过渡层和高温GaN缓冲层。
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