[实用新型]一种过饱和掺杂高效异质结电池

摘要

本实用新型公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上。本实用新型的优点是电池晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。

主权项

一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅（3）、正电极1、从上至下依次位于晶硅（3）背面的非晶硅薄膜、导电薄膜（6）和金属电极（7），其特征在于：所述晶硅（3）上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅‑硒掺杂层（2），所述正电极（1）位于硅‑硒掺杂层（2）上。