[实用新型]绝缘栅半导体装置结构有效
| 申请号： | 201320419561.6 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN203325907U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | Z·豪森 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及绝缘栅半导体装置结构。本实用新型所要解决的技术问题之一是减小半导体装置的比导通电阻。绝缘栅半导体设备结构包括：半导体材料的区域，其包括第一导电类型的半导体层并且具有主要表面；第二导电类型的体区，其形成在从所述主要表面延伸的所述半导体层中；以及沟槽结构，其形成在从邻近所述体区的所述主要表面延伸的所述半导体层中，并且其中所述沟槽结构包括：绝缘栅极；以及屏蔽电极。本实用新型能够用于半导体装置。本实用新型的有利技术效果之一是半导体装置的比导通电阻能够减小。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述绝缘栅半导体装置结构包括：半导体材料的区域，其包括第一导电类型的半导体层并且具有主要表面；第二导电类型的体区，其形成在从所述主要表面延伸的所述半导体层中；以及沟槽结构，其形成在从邻近所述体区的所述主要表面延伸的所述半导体层中，并且其中所述沟槽结构包括：绝缘栅极；以及具有第一部分和第二部分的屏蔽电极，其中所述第一部分比所述第二部分宽，并且其中所述第一部分在所述栅极与所述第二部分之间，并且其中第一介电层使所述第一部分至少部分地与所述半导体层分离，并且其中比所述第一介电层厚的第二介电层使所述第二部分与所述半导体层分离。
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