[实用新型]氮化镓基发光二极管

摘要

本实用新型公开一种氮化镓基发光二极管，涉及LED芯片技术领域。该二极管包括衬底、依次层叠在衬底上的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，依次层叠的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层共同蚀刻有一台阶，该台阶的低端设有n电极，该台阶的高端层叠有一电流扩散层，电流扩散层的中部设有蚀空，该电流扩散层的蚀空上方设有p电极，n电极和p电极均包括依次层叠的欧姆接触层、阻挡层和压焊层，该压焊层的材料为镁铝合金。本实用新型压焊层以镁铝合金为组成材料，降低了氮化镓基发光二极管的制作成本，增强了电极稳定性和牢固性。

主权项

一种氮化镓基发光二极管，包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n‑GaN层、量子阱层和p‑GaN层，依次层叠的所述n‑GaN层、所述量子阱层和所述p‑GaN层共同蚀刻有一台阶，所述台阶的低端设有n电极，所述台阶的高端层叠有一电流扩散层，所述电流扩散层的中部设有蚀空，所述电流扩散层的蚀空上方设有p电极，所述n电极和所述p电极均包括依次层叠的欧姆接触层、阻挡层和压焊层，其特征在于，所述压焊层的材料为镁铝合金。