[实用新型]进气装置有效
申请号: | 201320504645.X | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN203653689U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 谭华强;乔徽;林翔;苏育家 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种进气装置。包括层叠设置的主体部分和热壁层,所述主体部分包括第一气体腔室,所述主体部分和热壁层之间的区域构成第二气体腔室,所述第一气体腔室具有第一气体管路、所述第二气体腔室具有第二气体管路,所述第一气体管路和第二气体管路的出气口之间引入有隔离气体。相比而言,本实用新型能够吸收由进气装置下方的托盘产生的热量,使得在进气装置下表面的预反应生成的颗粒会变得致密,不容易脱落到托盘上而形成颗粒沾污;而且,第一气体管路和第二气体管路的出气口之间引入有隔离气体,能够减少或避免在热壁层处发生预反应,既能够减少颗粒污染的产生,又能够提高反应气体的利用率。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD工艺的进气装置,其特征在于,所述进气装置包括:层叠设置的主体部分和热壁层,所述主体部分包括第一气体腔室,所述主体部分和热壁层之间的区域构成第二气体腔室,所述第二气体腔室位于所述第一气体腔室下方;所述第一气体腔室具有第一气体管路、所述第二气体腔室具有第二气体管路,所述第一气体管路贯穿所述第二气体腔室和所述热壁层,所述第二气体管路贯穿所述热壁层;所述第一气体管路和第二气体管路的出气口之间引入有隔离气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的