[实用新型]对平坦基板进行单面湿化学处理的装置有效
| 申请号： | 201320554259.1 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN203491226U | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 巴赖斯·德克;卡尔滕巴赫·弗洛里安;桑德·贝恩德-尤韦;丁佩尔费尔德·沃尔夫冈;伯诺尔·迪特马尔;派蒂阿迪克斯·亚历克西斯;魏泽·凯特琳 | 申请（专利权）人： | 睿纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 | 代理人： | 李烨;赵飞 |
| 地址： | 德国古*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及液体辅助的平坦基板的处理领域。本实用新型特别涉及在单面湿化学处理中改善上述基板的背面保护。一种对平坦基板进行单面湿化学处理的装置，所述平坦基板（2）的单面湿化学处理装置具有：收纳处理液（F）的处理槽（7）；沿输送平面（8）向预定的输送方向水平引导基板（2）沿处理液（F）的表面通过该处理槽（7）的输送装置（4）；至少一个配置在所述输送平面（8）的上侧、向基板（2）的非处理面垂直供给排气（3）的机器（1）。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 进行 单面 化学 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种对平坦基板（2）进行单面湿化学处理的装置，其特征在于，具有：收纳处理液（F）的处理槽（7）；沿输送平面（8）向预定的输送方向水平引导基板（2）沿处理液（F）的表面通过该处理槽（7）的输送装置（4）；至少一个配置在所述输送平面（8）的上侧、向基板（2）的非处理面垂直供给排气（3）的机器（1）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
