[实用新型]电致发光装置有效
| 申请号： | 201320597543.7 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN203456466U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 程鸿飞;张玉欣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种电致发光装置，涉及显示领域，在保证薄膜晶体管与第二电极电连接可靠性的同时，还可使连接电极制备过程中的成膜时间缩短，刻蚀难度降低，从而提高生产效率。本实用新型提供的电致发光装置，包括：阵列基板；所述阵列基板包括：基板，依次设置于所述基板上的薄膜晶体管，覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层，以及设置在所述保护层之上的连接电极；所述连接电极下方的保护层向远离基板的一侧凸起，形成凸台；所述保护层在对应薄膜晶体管漏极的位置设置有保护层过孔，所述连接电极通过所述保护层过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电致发光 装置 | ||
【主权项】：
一种电致发光装置，包括：阵列基板；所述阵列基板包括：基板，依次设置于所述基板上的薄膜晶体管，覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层，以及设置在所述保护层之上的连接电极；其特征在于，所述连接电极下方的保护层向远离基板的一侧凸起，形成凸台；所述保护层在对应薄膜晶体管漏极的位置设置有保护层过孔，所述连接电极通过所述保护层过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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