[实用新型]一种区熔晶体生长用保温装置及区熔炉有效
| 申请号： | 201320627238.8 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN203593807U | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 冷先锋;王楠 | 申请（专利权）人： | 北京京运通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及区熔晶体生长设备的技术领域，公开了一种区熔晶体生长用保温装置及一种区熔炉。所述区熔晶体生长用保温装置，包括：金属环；套于所述金属环外侧并与所述金属环导热接触的水管；套于所述金属环内侧并与所述金属环导热接触的保温罩，所述保温罩的导热率小于所述金属环的导热率。在本实用新型技术方案中，在金属环内侧有与金属环导热接触的保温罩，由于保温罩的导热率小于外侧金属环的导热率，因此，保温罩内可维持一定的热量，减缓热扩散速度，降低保温罩内单晶开裂的概率，提高大直径单晶的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 保温 装置 熔炉 | ||
【主权项】：
一种区熔晶体生长用保温装置，其特征在于，包括：金属环（1）；套于所述金属环（1）外侧并与所述金属环（1）导热接触的水管（2）；套于所述金属环（1）内侧并与所述金属环（1）导热接触的保温罩（3），所述保温罩（3）的导热率小于所述金属环（1）的导热率。
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