[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320675405.6 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203910808U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | A.毛德;U.瓦尔;W.凯因德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的包括栅电极的多个晶体管单元；一个或多个用于电连接栅电极的互连，其中所述栅电极具有比所述单元的节距的1/2小的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的包括栅电极的多个晶体管单元；一个或多个用于电连接栅电极的互连，其中所述栅电极具有比所述单元的节距的1/2小的宽度。
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