[实用新型]新型QFN引线框架有效

专利信息
申请号: 201320723555.X 申请日: 2013-11-13
公开(公告)号: CN203674197U 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 康亮;杨建斌 申请(专利权)人: 天水华洋电子科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 谢德珍
地址: 741020 甘肃省*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 新型QFN引线框架,包括镍锡铜合金材料的框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚、芯片,基岛区通过连接脚与框架基体连接,引线管脚分布于基岛区的外围并与框架基体连接,芯片安装于基岛区的中心位置,引线管脚表面与基岛区芯片连接的区域内蚀刻有凹槽,基岛区表面安装芯片的外围蚀刻有包围芯片的凹槽,连接脚上开有与基岛区凹槽连通的凹槽。本实用新型导电能力强、接触电阻稳定、耐腐蚀、可靠性高,弹性能力强,通过基岛外围及引线管脚边缘蚀刻的凹槽,使封装时塑封料填充在凹槽内,有效增加了塑封料与引线框架的附着强度,提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性。
搜索关键词: 新型 qfn 引线 框架
【主权项】:
新型QFN引线框架,其特征在于,包括框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚、芯片,所述基岛区位于所述框架基体内部中心,基岛区通过所述连接脚与框架基体连接,所述引线管脚分布于基岛区的外围并与框架基体连接,所述芯片安装于基岛区的中心位置,所述引线管脚在QFN封装体内通过内部引线与基岛区的芯片电极连接,所述引线管脚表面与基岛区芯片连接的区域内蚀刻有凹槽。
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