[实用新型]厚膜混合集成电路模块有效
申请号: | 201320739622.7 | 申请日: | 2013-11-20 |
公开(公告)号: | CN203536437U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 刘国庆 | 申请(专利权)人: | 威科电子模块(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种厚膜混合集成电路模块,它包括陶瓷基板及印制在陶瓷基板上的无源网络,其改进在于:所述无源网络中包含多个外形呈“一”字形的厚膜电阻及一个外形呈“L”形的厚膜电阻;所述“L”形的厚膜电阻包括一体成型的第一电阻部及第二电阻部,所述第一电阻部与第二电阻部垂直连接形成的“L”形电阻体,所述“L”形电阻的两端分别连接一电极;所述第一电阻部上设有激光调阻切槽A,所述第二电阻部上设有激光调阻切槽B。本实用新型的厚膜混合集成电路模块,在调阻过程中,可通过该“L”形的厚膜电阻进行定位,使得各个厚膜混合集成电路模块上激光调阻切槽的一致性更好。 | ||
搜索关键词: | 混合 集成电路 模块 | ||
【主权项】:
一种厚膜混合集成电路模块,它包括陶瓷基板及印制在陶瓷基板上的无源网络,其特征在于:所述无源网络中包含多个外形呈“一”字形的“一”字形厚膜电阻及一个外形呈“L”形的“L”形厚膜电阻;所述“L”形厚膜电阻包括一体成型的第一电阻部及第二电阻部,所述第一电阻部与第二电阻部垂直连接形成的“L”形电阻体,所述“L”形电阻体的两端分别连接一电极;所述第一电阻部上设有激光调阻切槽A,所述第二电阻部上设有激光调阻切槽B。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的