[实用新型]集成电路和电子设备有效
| 申请号： | 201320808236.9 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN203721732U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | J·H·张;牛成玉;杨珩 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型的一些实施例提供集成电路和电子设备，该集成电路包括：第一类型的第一半导体器件，包括第一栅极和第一应变的沟道，所述第一栅极包括第一金属材料，所述第一应变的沟道是以第一方式应变的；以及第二类型的第二半导体器件，包括第二栅极和第二应变的沟道，所述第二栅极包括第二金属材料，所述第二应变的沟道是以第二方式应变的，其中所述第一栅极和所述第二栅极共同地包括三种或者更少的金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其特征在于，包括：第一类型的第一半导体器件，包括第一栅极和第一应变的沟道，所述第一栅极包括第一金属材料，所述第一应变的沟道是以第一方式应变的；以及第二类型的第二半导体器件，包括第二栅极和第二应变的沟道，所述第二栅极包括第二金属材料，所述第二应变的沟道是以第二方式应变的，其中所述第一栅极和所述第二栅极共同地包括三种或者更少的金属材料。
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