[实用新型]带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池有效
申请号: | 201320813497.X | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN203721752U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 王晓晖;宋京;丁国建;张荣勤;罗惠英 | 申请(专利权)人: | 天津中环新光科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/078 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人: | 高凤荣 |
地址: | 300385 天津市西*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池,包括:一锗底电池、设在锗底电池上的第一隧道结、设在第一隧道结上的砷化铟镓中电池、设在砷化铟镓中电池上的第二隧道结、设在第二隧道结上的磷化铟镓顶电池,其中,在第一隧道结与砷化铟镓中电池之间设有一分布布拉格反射器,通过上述层结构连接及切割后,便形成一三结太阳能电池芯片结构。本实用新型不仅能够有效地将透过砷化铟镓中电池的P型基区的光反射回去,并再次参与光子到电子的转换过程,从而达到提高中电池的光电转换效率目的;而且,有效地解决了现有电池总体的光电转换效率不高的问题;同时,有效地缩减了P型砷化铟镓基区的厚度,提高了生产效率,节省了生产成本,降低了副产品的排放。 | ||
搜索关键词: | 带有 分布 布拉格 反射 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池,包括:一锗底电池、设在锗底电池上的第一隧道结、设在第一隧道结上的砷化铟镓中电池、设在砷化铟镓中电池上的第二隧道结、设在第二隧道结上的磷化铟镓顶电池,其特征在于:在第一隧道结与砷化铟镓中电池之间设有一分布布拉格反射器,通过上述层结构连接及切割后,便形成一三结太阳能电池芯片结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的