[实用新型]一种大电流控制电路

摘要

一种大电流控制电路，包括PMOS管MP1、MP2和MP3，三极管Q1和Q2，MOSFET管M1和M2，电阻R1和R2。MP1、MP2和MP3共栅极，源极与VDD连接，MP2和MP3的漏极分别与Q1和Q2的集电极连接。Q1和Q2的基极互连，Q1和Q2的发射极分别与R1和R2连接。M1和M2共栅极，共漏极，M1的源极与R1连接。M2的源极、R1和R2接地。Q1与Q2相匹配，R1与R2是按照比例关系的匹配电阻。M1和M2的宽长比为一定比例。本实用新型不考虑晶体管沟道长度调制效应，由R1引入负反馈，将大电流转化为电流比较信号，实现了在高电压大电流模式下对电流的精确控制。

主权项

一种大电流控制电路，其特征在于，包括MOSFET管M1、MOSFET管M2、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、电阻R1、电阻R2、三极管Q1和三极管Q2； 所述PMOS管MP1的源极、所述PMOS管MP2的源极和所述PMOS管MP3的源极与电源VDD连接；所述PMOS管MP3的栅极、所述PMOS管MP2的栅极、所述PMOS管MP1的栅极和所述PMOS管MP1的漏极的电流为基准电流I_REF；所述PMOS管MP2的漏极与所述三极管Q1的集电极连接；所述PMOS管MP3的漏极分别与所述三极管Q2的集电极、所述MOSFET管M1的栅极和所述MOSFET管M2的栅极连接； 所述三极管Q1的基极分别与自身的集电极和所述三极管Q2的基极连接； 所述三极管Q1的发射极接入所述MOSFET管M1和所述电阻R1之间；所述三极管Q2集电极与所述PMOS管MP3的漏极、所述MOSFET管M1的栅极和所述MOSFET管M2的栅极连接；所述三极管Q2的发射极与所述电阻R2连接，所述电阻R2的另一端直接接地； 所述MOSFET管M1的源极分别与所述三极管Q1的发射极和所述电阻R1连接，所述电阻R1的另一端直接接地；所述MOSFET管M1的漏极与所述MOSFET管M2的漏极相连；所述MOSFET管M2的源极直接接地。