[实用新型]一种基于忆阻器的Duffing-van der Pol 振荡电路有效

专利信息
申请号: 201320856113.2 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN203734620U 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 陆益民;朱志勇;黄险峰 申请(专利权)人: 广西大学
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 彭晓玲
地址: 530004 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种基于忆阻器的Duffing-van der Pol振荡电路,该电路包括:激励电源e(t)、电阻R、第一电容C1、第二电容C2和忆阻器M;所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接;所述电阻R的另一端分别与第一电容C1的一端、第二电容C2的一端连接;所述第二电容C2的另一端与忆阻器M的一端连接;所述忆阻器M的另一端、第一电容C1的另一端均与激励电源e(t)的另一端连接。本实用新型为一个二阶振荡电路,采用连续的非线性电阻,具有电路结构简单,参数调节方便,可以完整地保留Duffing-van der Pol振子动力学特性的优点。
搜索关键词: 一种 基于 忆阻器 duffing van der pol 振荡 电路
【主权项】:
一种基于忆阻器的Duffing‑van der Pol振荡电路,其特征在于:该电路包括:激励电源e(t)、电阻R、第一电容C1、第二电容C2和忆阻器M;所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接;所述电阻R的另一端分别与第一电容C1的一端、第二电容C2的一端连接;所述第二电容C2的另一端与忆阻器M的一端连接;所述忆阻器M的另一端、第一电容C1的另一端均与激励电源e(t)的另一端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西大学,未经广西大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320856113.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top