[实用新型]PECVD镀膜装置有效
申请号: | 201320858530.0 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN203653695U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 陈立国;吕旭东;李海燕;张受业;陈伟岸;贺艳;赵萌;朱惠钦 | 申请(专利权)人: | 北京北印东源新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/54;C23C16/02 |
代理公司: | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 101407 北京市怀柔*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种PECVD镀膜装置。该PECVD镀膜装置包括:预处理室(10),用于对基材(40)进行表面预处理;镀膜室(20),位于预处理室(10)下游,用于对经预处理室(10)预处理的基材(40)进行镀膜;以及收料室(30),设置在镀膜室(20)下游,用于收集经镀膜室(20)镀膜的基材(40);预处理室(10)、镀膜室(20)以及收料室(30)之间为真空密封连接。本实用新型所提供的PECVD镀膜装置,能够保证基材表面处理时的清洁度,保证基材表面的镀膜质量。 | ||
搜索关键词: | pecvd 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
一种PECVD镀膜装置,其特征在于,包括:预处理室(10),用于对基材(40)进行表面预处理;镀膜室(20),位于所述预处理室(10)下游,用于对经所述预处理室(10)预处理的基材(40)进行镀膜;以及收料室(30),设置在所述镀膜室(20)下游,用于收集经所述镀膜室(20)镀膜的基材(40);所述预处理室(10)、所述镀膜室(20)以及所述收料室(30)之间为真空密封连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的