[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320869809.9 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN203644780U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 金熙哲;宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。包括依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层，在所述栅绝缘层对应所述TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及所述TFT的源极和漏极，所述TFT的源极和漏极分别通过过孔与所述半导体有源层的图案相接触；以及形成在所述TFT的栅极和所述栅绝缘层之间的第一绝缘层的图案，所述第一绝缘层的图案对应所述TFT的源极区域和/或所述TFT的漏极区域；在对应所述TFT的沟道区域，所述栅极与所述栅绝缘层接触。这样一种阵列基板可以降低TFT的源、漏电极与栅极之间的寄生电容，提高显示装置的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括：依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层，在所述栅绝缘层对应所述TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及所述TFT的源极和漏极，所述TFT的源极和漏极分别通过过孔与所述半导体有源层的图案相接触；其特征在于，还包括：形成在所述TFT的栅极和所述栅绝缘层之间的第一绝缘层的图案，所述第一绝缘层的图案对应所述TFT的源极区域和/或所述TFT的漏极区域；在对应所述TFT的沟道区域，所述栅极与所述栅绝缘层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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