[实用新型]改进结构的平面工艺二极管有效
| 申请号： | 201320871227.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203760484U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张书郎 | 申请（专利权）人： | 湖北烨和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/488 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 胡清堂 |
| 地址： | 432900 湖北省孝感市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种改进结构的平面工艺二极管，包括：凸台式铜基座，凸台式铜基座上方焊接有阶梯式引线，凸台式铜基座上外部套有铜壳；其优点是：采用改良的铜基座可以提高焊接性能，酸式蚀刻速率和蚀刻均匀性好，避免大面积铜浸泡于蚀刻酸液中，释放出大量铜离子，导致产品形成铜粒子污染，从而提高产品的可靠性和延长产品使用寿命，降低产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 结构 平面 工艺 二极管 | ||
【主权项】：
一种改进结构的平面工艺二极管，其特征在于：包括凸台式铜基座，凸台式铜基座上方焊接有阶梯式引线，凸台式铜基座外部套有铜壳。
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