[发明专利]具有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法、具有双重带隙倾斜度的CZTS系太阳能电池的制造方法及CZTS系太阳能电池

摘要

本发明提供具有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括以下步骤：形成Cu₂ZnSnS₄薄膜层；形成Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜层；及形成Cu₂ZnSnS₄薄膜层。根据本发明的另一方面的具有双重带隙倾斜度的CZTS系太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：形成后面电极；在上述后面电极上，通过上述方法中的一种方法形成CZTS系薄膜层。根据本发明的又一方法，CZTS系太阳能电池，包括后面电极及形成于上述后面电极之上的CZTS系薄膜层，而上述CZTS系薄膜层依次包括Cu₂ZnSnS₄薄膜层、Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜层及Cu₂ZnSnS₄薄膜层，而且，Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜层的带隙能量低于Cu₂ZnSnS₄薄膜层的带隙能量。本发明的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜层因表面侧的带隙高，从而增加开路电压，减少再结合，且因后面侧带隙高，从而增加电子迁移率，提高太阳能电池的效率。

主权项

一种形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括：合成由Cu、Zn及Sn构成的前体薄膜层的步骤；对所述前体薄膜层进行第一次硫化处理的步骤；对所述经硫化处理的薄膜层进行硒化处理的步骤；对所述经硒化处理的薄膜层进行第二次硫化处理的步骤，其中，所述CZTS系薄膜包括依次形成且层叠的Cu₂ZnSnS₄薄膜层、Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜层及Cu₂ZnSnS₄薄膜层。