[发明专利]用于形成熔断器的方法有效
申请号: | 201380005216.0 | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN104040711B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 鲍军静;G·波尼拉;考施克·查恩达;塞缪尔·S.·乔伊;罗纳德.G.非利普;斯特凡·格鲁诺夫;N·E·勒斯蒂格;丹·默伊;安德鲁.H.西蒙 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L23/62 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种BEOL电子熔断器,该BEOL电子熔断器在通孔内会可靠地烧断,并且即使在最紧密间距的BEOL层内也能够形成。该BEOL电子熔断器能够使用线路优先的双镶嵌工艺来形成,以产生将作为电子熔断器的可编程链路的亚光刻通孔。亚光刻通孔能够使用标准的光刻技术来图形化,并且通孔的截面能够进行调整以匹配目标编程电流。 | ||
搜索关键词: | 后段 可编程 熔断器 | ||
【主权项】:
一种用于形成熔断器的方法,包括:提供包含在第一介电层之上的硬掩模的结构,其中所述硬掩模还被布置于第二介电层之上,所述第二介电层布置于形成于所述第一介电层内的导电线路之上;形成穿过所述硬掩模的第一开口;在抗蚀层中形成第二开口,所述第二开口与所述第一开口不对齐以暴露所述第一开口的侧壁,并且部分地重叠所述第一开口以界定重叠部分,所述重叠部分具有亚基本准则尺寸;蚀刻被所述重叠部分暴露的所述第二介电层的部分,以在所述第二介电层中形成通孔空腔,其中所述硬掩模没有被蚀刻,所述通孔空腔完全位于所述导电线路上方并且具有亚基本准则尺寸;移除所述抗蚀层以暴露所述第一开口;蚀刻被所述第一开口暴露的所述第二介电层的另一部分以在所述第二介电层中形成沟槽。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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