[发明专利]分段式天线组件有效
| 申请号： | 201380006658.7 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN104080947A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | B·M·约翰斯通 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于等离子体增强式化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)装置的分段式天线组件。于一实施例中，所述装置包括具有上表面及下表面的处理室体、天线以及电介质层。天线包括第一段、第二段以及第三段。第二段电耦接于第一段，并延伸通过处理室体的内部空间。第三段电耦接于第二段。电介质层设置于所述第二段的外径的周围。 | ||
| 搜索关键词： | 段式 天线 组件 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：处理室体，所述处理室体具有上表面及下表面；天线，所述天线包括：第一段；第二段，所述第二段电耦接于所述第一段，并延伸通过所述处理室体的内部空间；以及第三段，所述第三段电耦接于所述第二段；以及电介质层，所述电介质层设置于所述第二段的外径的周围。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
