[发明专利]半导体制造装置的制造方法和半导体制造装置

摘要

本发明提供一种半导体制造装置的制造方法，其用于对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在多层膜上形成规定形状的孔等，上述半导体制造装置的制造方法包括：利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和第1流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至第1深度的第1工序；在第1工序之后，利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和与第1流量不同的第2流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至与上述第1深度不同的第2深度的第2工序；和在第2工序后，实施过蚀刻直至孔等到达多层膜的基底层的第3工序。

主权项

一种半导体制造装置的制造方法，其用于利用等离子体对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在所述多层膜上形成规定形状的孔或者槽，所述半导体制造装置的制造方法的特征在于：对与上部电极相对配置的下部电极，施加27MHz以上60MHz以下的等离子体生成用的高频电力和380kHz以上1MHz以下的偏置用的高频电力，所述半导体制造装置的制造方法包括：第1工序，其利用从包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种气体和第1流量的CF类气体的气体所生成的等离子体，实施将所述多层膜蚀刻至第1深度的蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，利用从包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种气体和与第1流量不同的第2流量的CF类气体的气体所生成的等离子体，实施将所述多层膜蚀刻至与所述第1深度不同的第2深度的蚀刻；和第3工序，其在所述第2工序之后，实施过蚀刻直至所述孔或槽到达所述多层膜的基底层。