[发明专利]使用可转移的重新分布层制造重新分布的电子器件的方法在审
| 申请号： | 201380007684.1 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104094397A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | T·雷德;D·赫恩顿;S·邓菲 | 申请（专利权）人： | 哈里公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/66;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 袁玥 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有重新分布层的电子器件的制造方法包括提供具有第一图案的接触区域的电子器件(11，12)，以及在临时衬底(20)上形成重新分布层(29)。重新分布层(29)具有匹配第一图案的接触区域(13)的第二图案的接触区域(27)，以及，不同于第二图案的接触区域(27)的第三图案的接触区域(23)。第二图案的接触区域(27)通过多个层叠的导电层和绝缘层耦合到第三图案的接触区域。第一图案的接触区域(13)耦合到可转移的重新分布层(29)上的第二图案的接触区域(27)。然后，去除临时衬底(20)，由此形成重新分布的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 转移 重新 分布 制造 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
具有重新分布层的电子器件的制造方法，包括：提供具有第一图案的接触区域的电子器件；在临时衬底上形成重新分布层，并且所述重新分布层具有匹配所述第一图案的接触区域的第二图案的接触区域和不同于所述第二图案的接触区域的第三图案的接触区域，所述第二图案的接触区域耦合到所述第三图案的接触区域；将所述电子器件的所述第一图案的接触区域耦合到所述重新分布层的所述第二图案的接触区域；以及从所述重新分布层去除所述临时衬底，由此形成重新分布的电子器件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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