[发明专利]用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件有效

专利信息
申请号: 201380009310.3 申请日: 2013-01-17
公开(公告)号: CN104115292B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 斯特凡·伊莱克;沃尔特·韦格莱特;卡尔·魏德纳;斯特凡·施特格迈尔 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L25/075;H01L33/00;H01L33/62;H01L33/54;H01L33/64
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 丁永凡,张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在至少一个实施方式中,半导体构件(1)包括至少一个光电子半导体芯片(3),所述光电子半导体芯片具有辐射出射侧(30)。可表面安装的半导体构件(1)包含成形体(4),所述成形体形状配合地且直接地覆盖半导体芯片(3)的侧面(34)。在辐射出射侧(30)的俯视图中观察,成形体(4)和半导体芯片(3)不交叠。
搜索关键词: 用于 制造 光电子 半导体 构件 方法
【主权项】:
一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法,具有下述步骤:‑提供具有载体上侧(20)的中间载体(2);‑将多个光电子半导体芯片(3)安置在所述载体上侧(20)上,其中所述半导体芯片(3)彼此间隔开;‑建造成形体(4),所述成形体沿横向方向环形地直接地包围所述半导体芯片(3)并且持久地彼此机械连接,其中所述半导体芯片(3)的至少一个主侧不具有所述成形体(4)的材料;和‑移除所述中间载体(2),其中在建造所述成形体(4)之后并且在移除所述中间载体(2)之后将散热器(6)安装在所述半导体芯片(3)的和所述成形体(4)的背离所述中间载体(2)的下侧(35,45)上,其中‑所述散热器(6)的厚度位于10μm和250μm之间,其中包括边界值,‑所述散热器(6)是能导电的并且制成所述半导体构件(1)的至少两个电接触部位(65)或者所述散热器(6)与所述半导体芯片(3)的半导体层序列(32)电绝缘。
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