[发明专利]银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜及其应用有效
申请号: | 201380011207.2 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN104136548B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 三田村康弘;中山昌哉;松並由木 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C08L101/00 | 分类号: | C08L101/00;B32B15/08;C08K5/3447;C08K5/3472;C08K5/46;H05K1/03;H05K3/28 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜及其应用,所述银离子扩散抑制层形成用组成物可形成银离子扩散抑制层,所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的离子迁移,且提高金属配线间的绝缘可靠性。本发明的银离子扩散抑制层形成用组成物含有绝缘树脂以及化合物,而所述化合物具有选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构;巯基;以及一个以上的可含有杂原子的烃基,且烃基中的碳原子的合计数(而且,在具有多个烃基的情形时,为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。 | ||
搜索关键词: | 银离子 扩散 抑制 形成 组成 层用膜 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种银离子扩散抑制层形成用组成物,其含有:绝缘树脂;以及化合物,所述化合物为式(1)与式(3)的任一个所表示的化合物,式(1)中,R1及R2分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基,R1及R2的至少一个表示所述烃基,R1及R2的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上;式(3)中,R4~R7分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基,R4~R7的至少一个表示所述烃基,R4~R7的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上;其中所述烃基为含有选自由下述式(B‑1)~式(B‑7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基,下述式(B‑1)~式(B‑7)中的多个*的一个可直接键结于选自由三唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构,式(B‑1)~式(B‑7)中,Xa为选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中的原子;多个Xa可相同亦可不同;Xb为氧原子或硫原子;多个Xb可相同亦可不同;*表示键结位置。
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