[发明专利]ESD保护半导体器件有效
| 申请号： | 201380012586.7 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104160509B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈·赖因普雷希特 | 申请（专利权）人： | ams有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 康建峰,陈炜 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体衬底，设置有布置在表面(10)处彼此相隔一定距离的第一导电类型的源区(2)和漏区(3)，布置在源区(2)与漏区(3)之间的与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区(4)，以及布置在沟道区(4)上方的栅电极(6)。第一导电类型的衬底阱(7)布置在衬底(1)中并与源区(2)间隔一定距离。衬底阱(7)与漏区(3)邻接，并且源区(2)与衬底阱(7)之间的距离大于源区(2)与漏区(3)之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种ESD保护半导体器件，包括：半导体衬底(1)，具有表面(10)；第一导电类型的源区(2)和漏区(3)，所述源区(2)和所述漏区(3)布置在所述衬底(1)中，位于或邻近于所述表面(10)，并且彼此间隔开距离；第二导电类型的沟道区(4)，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述沟道区(4)布置在所述源区(2)和所述漏区(3)之间，以及栅电极(6)，布置在所述沟道区(4)上方，其特征在于：所述第一导电类型的衬底阱(7)布置在所述衬底(1)中，并与所述源区(2)间隔开距离，所述衬底阱(7)与所述漏区(3)邻接，以及所述源区(2)与所述衬底阱(7)之间的距离大于所述源区(2)与所述漏区(3)之间的距离，所述ESD保护半导体器件还包括：所述第二导电类型的本体阱(12)，所述沟道区(4)位于所述本体阱(12)中，以及所述衬底阱(7)从所述衬底(1)的表面(10)向下延伸最大距离(d1)，所述最大距离(d1)大于所述本体阱(12)从所述表面(10)所延伸的最大距离(d2)。
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