[发明专利]测试绝缘体上半导体结构的方法和所述测试对于这样的结构的制造的应用

摘要

本发明涉及一种测试绝缘体上半导体型结构的方法，该绝缘体上半导体型结构包括支撑基板(3)、具有小于50nm的厚度的介电层(2)和半导体层(12)，所述结构包括所述介电层(2)与所述支撑基板(3)之间或者所述介电层(2)与所述半导体层(12)之间或者介电层(2)内的接合界面(I)，该方法的特征在于，所述方法包括测量所述介电层(2)的击穿电荷(QBD)以及从所述测量推断与所述层(2)中和/或接合界面(I)处的氢浓度相关的信息。本发明还涉及一种制造一批绝缘体上半导体型结构的方法，该方法包括对于来自所述一批的采样结构执行所述测试。

主权项

一种确定在绝缘体上半导体型结构的制造期间将要施加的热处理的温度和持续时间的方法，所述绝缘体上半导体型结构从其基底到其表面连续地包括支撑基板(3)、具有小于50nm的厚度的介电层(2)和半导体层(12)，绝缘体上半导体型结构的所述制造包括下述步骤：(a)获得包括所述半导体层(12)的施主基板(1)，(b)在所述施主基板(1)的所述半导体层(12)的表面上和/或在所述支撑基板(3)的表面上形成介电层(2)，(c)将所述施主基板(1)接合到所述支撑基板(3)，所述介电层(2)位于接合界面(I)处，(d)将所述半导体层(12)从所述施主基板(1)转移到所述支撑基板(3)，以形成所述绝缘体上半导体结构，(e)对于所述结构施加热处理以从所述介电层(2)和/或所述接合界面(I)撤离氢原子，其中，所述热处理的温度处于1000℃至1250℃之间并且持续时间处于3分钟至100小时之间，该方法的特征在于，根据步骤(a)至(d)制造所述结构，测量所述结构中的所述介电层(2)的击穿电荷(QBD)，并且步骤(e)的所述热处理的所述持续时间和所述温度被选择为测量的击穿电荷(QBD)的函数，以在所述热处理之后获得大于或等于预定阈值的击穿电荷(QBD)。