[发明专利]磁记录介质的制造方法有效
| 申请号： | 201380014327.8 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104170014A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 佐藤成实;熊谷明恭;片野智纪;谷口克己;小野博美 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁记录介质的制造方法，提供一种能够得到兼具良好的耐腐蚀性和润滑剂的附着性的保护层的制造方法。在制造以下磁记录介质的制造方法中，该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层以及润滑层，且保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下，该制造方法的特征在于，依次包括如下工序：1)保护层下层的成膜工序；2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序；3)保护层上层的成膜工序；4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。保护层下层和保护层上层优选由碳类材料形成，更优选由类金刚石碳形成。保护层下层在大气中与水的接触角优选为25度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质的制造方法，该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层和润滑层，保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下，所述磁记录介质的制造方法的特征在于，依次包括以下工序：1)保护层下层的成膜工序；2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序；3)保护层上层的成膜工序；以及4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。
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