[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201380014995.0 | 申请日： | 2013-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN104185902B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 增田健良;日吉透;和田圭司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件(1)包括衬底(10)、栅极绝缘膜(20)、以及栅电极(30)。衬底(10)包括化合物半导体，并且具有凹部(17)，当在厚度方向中的横截面看时，该凹部(17)在一个主表面(10A)处开口并且具有侧壁表面(17A)。栅极绝缘膜被设置为以便接触侧壁表面(17A)的顶部。栅电极(30)被设置为以便接触栅极绝缘膜(20)的顶部。衬底(10)包括第一导电类型的源极区(15)，其被设置为在侧壁表面(17A)处被暴露；和第二导电类型的体区(14)，其被设置为当在源极区(15)看时与一个主表面相反，与源极区(15)接触，并且被暴露在侧壁表面(17A)上。当在平面图中看时，凹部(17A)具有封闭的形状，并且当在凹部(17)中的任意方向中看时，侧壁表面(17A)在各个方向提供向外突出的形状。结果，能够提供允许提高耐压的半导体器件(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底由化合物半导体制成并且具有凹部，所述凹部在所述衬底的一个主表面处开口并且具有侧壁表面；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜被设置在所述侧壁表面中的每一个上并且与所述侧壁表面中的每一个接触；以及栅电极，所述栅电极被设置在所述栅极绝缘膜上并且与所述栅极绝缘膜接触，所述衬底包括：源极区，所述源极区具有第一导电类型，并且当在沿着厚度方向的横截面中看时，被设置为暴露在所述侧壁表面处；以及体区，所述体区具有第二导电类型，并且当从所述源极区看时，被设置为在与所述一个主表面相反的一侧与所述源极区接触，以便暴露在所述侧壁表面处，当在平面图中看时，所述凹部具有封闭的形状，当在所述凹部中从任意位置看时，所述侧壁表面在每个方向上提供向外突出的形状，其中，所述凹部的所述侧壁表面包括具有{0‑33‑8}的面取向的第一面，其中，所述凹部的所述侧壁表面在微观上包括所述第一面，并且所述侧壁表面在微观上进一步包括具有{0‑11‑1}的面取向的第二面，并且所述凹部的所述侧壁表面的所述第一面和所述第二面包括具有{0‑11‑2}的面取向的组合面。
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