[发明专利]在硅基板上形成III/V族共形层的方法

摘要

一种在硅基板上形成共形III/V族层的方法和所产生的具有III/V族层形成在上面的基板。该方法包括从基板去除原生氧化物；将基板在处理腔室内定位；将该基板加热至第一温度；将该基板冷却至第二温度；将III族前驱物流入该处理腔室；当将III族前驱物和V族前驱物流入该处理腔室时，维持该第二温度直到形成共形层；当停止该III族前驱物的流动时，将该处理腔室加热至退火温度；和将该处理腔室冷却至该第二温度。III/V族层的沉积可以通过使用优先蚀刻电介质区域的卤化物气体而选择性地进行。

主权项

一种形成层的方法，所述方法包括：将基板在处理腔室中定位，所述基板包括暴露表面；将第一III族前驱物气体输送至所述基板的所述暴露表面，以在所述暴露表面上沉积III族成核层，其中所述III族成核层无V族元素；和输送第二III族前驱物和V族前驱物，以在所述III族成核层上沉积III/V族层。