[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201380017424.2 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104205339B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;日吉透;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明中，碳化硅衬底(100)具有具有第一导电类型的第一层(121)、设置在第一层(121)上并且具有第二导电类型的第二层(122)、和设置在第二层(122)上并且掺杂有提供第一导电类型的杂质的第三层(123)。碳化硅衬底(100)具有形成为穿过第三层(123)和第二层(122)并延伸到第一层(121)的沟槽(TR)。第一层(121)在离开第一层(121)中沟槽(TR)的位置上具有杂质的浓度峰值。结果，提供了具有很容易形成的电场缓和结构的碳化硅半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括第一导电类型的第一层、设置在所述第一层上的第二导电类型的第二层、和设置在所述第二层上并且掺杂有用于提供所述第一导电类型的杂质的第三层，所述碳化硅衬底具有被形成为穿过所述第三层和所述第二层以到达所述第一层的沟槽，所述第一层在离开所述第一层中的所述沟槽的位置具有所述第一导电类型的杂质的浓度峰值；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜覆盖所述沟槽；和栅电极，所述栅电极设置在所述栅极绝缘膜上，所述栅电极在所述栅极绝缘膜介于所述栅电极和所述第二层之间的情况下面向所述第二层的表面，其中，所述第二层在离开所述第二层中的所述沟槽的位置具有所述杂质的浓度峰值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380017424.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多结太阳能电池装置的制造
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
