[发明专利]磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201380020065.6 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104221085B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C23C14/34;G11B5/64;G11B5/65 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其为含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度相对于在与溅射面平行的水平面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度的强度比为2以上。本发明的课题在于提供磁记录层由Fe‑Pt合金等磁性相与将该磁性相隔离的非磁性相构成，使用碳作为非磁性相的材料之一的强磁性材料溅射靶，提供在溅射时抑制以容易凝聚的碳为起点的异常放电导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 形成 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其为含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶，其特征在于，在与溅射面垂直的截面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度相对于在与溅射面平行的水平面中的石墨(002)面的X射线衍射峰强度的强度比为2以上。
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