[发明专利]用于半导体封装的多层基底

摘要

本发明提供半导体基底(105、105a)，其包括形成在牺牲性载体(110)上的两层或多层堆积的结构层(120、220)。每个堆积的结构层包括导体迹线层(114a)和互连层(118a、218a)，结构层模制在树脂模塑料内。该模塑料的顶表面被研磨，然后，由粘合层(123、124、224)沉积。然后在最外面的导体迹线层(128a、228a)形成在粘合层上且载体(110)或加强环(110b)被移去之后，可以获得多层基底(105、105a)。

主权项

1.一种半导体基底，所述半导体基底包括：第一导体迹线层；第二导体迹线层；互连层，其设置在所述第一导体迹线层和所述第二导体迹线层之间，其中，所述互连层包括短柱，所述短柱连接所述第一导体迹线层和所述第二导体迹线层之间的选定区域；模制复合物，密封所述第一导体迹线层和所述互连层封装，所述第一导体迹线层暴露在所述模制复合物的表面上；以及第二绝缘体层，沉积在所述第二导体迹线层上，所述第二绝缘体层密封所述第二导体迹线层；其中，所述模制复合物通过正压力注入流体状态的复合物到内腔中而形成；所述第二绝缘体层能够被操作以选择性地被移除，以暴露出所述第二导体迹线层的用于外部电连接的区域。