[发明专利]功率场效应晶体管在审
| 申请号： | 201380022263.6 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104247029A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 格列格·A·迪克斯;丹·格里姆 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/08;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率场效应晶体管，其具有：衬底(115)；及第一导电类型的外延层(120)，其在所述衬底上；第二导电类型的第一及第二基极区域，其在所述外延层内；第一导电类型的相应源极区域(125)，其布置于所述基极区域内；及绝缘栅极结构(130)，其至少部分地覆盖所述基极区域之间的外延层部分且布置于所述外延层部分上方。漏极触点(135)在孔(137)或沟槽中从所述外延层的顶部朝向所述衬底延伸以将顶部触点(110)与所述衬底耦合。如果所述孔或沟槽未延伸到所述衬底，那么可在所述孔或沟槽下方设置植入区域(145)以将所述衬底链接到所述漏极触点。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管FET单元结构，其包括：衬底；第一导电类型的外延层，其在所述衬底上；第二导电类型的第一及第二基极区域，其布置于所述外延层或阱内且间隔开；第一导电类型的第一及第二源极区域，其分别布置于所述第一基极区域及所述第二基极区域内；栅极结构，其通过绝缘层与所述外延层绝缘且布置于所述第一基极区域与所述第二基极区域之间的区域上方，且至少部分地覆盖所述第一基极区域及所述第二基极区域，漏极触点，其从装置的顶部伸入穿过所述外延层以将顶部触点或金属层与所述衬底耦合。
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