[发明专利]不可逆电路元件在审
申请号: | 201380024374.0 | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN104272524A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 中嶋礼滋;牧野敏弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01P1/383 | 分类号: | H01P1/383;H01P1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够兼得小型化和低损耗的集中常数型的不可逆电路元件。在该不可逆电路元件中,第1中心导体(21)、第2中心导体(22)以及第3中心导体(23)以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体(20),将第1中心导体(21)的一端作为第1端口(P1),将第2中心导体(22)的一端作为第2端口(P2),将第3中心导体(23)的一端作为第3端口(P1)。第1端口(P1)与第1端子(41)连接,第2端口(P2)与第2端子(42)连接,第3端口(P3)与第3端子(43)连接。各中心导体(21、22、23)各自的另一端相互连接并且接地。分别针对各中心导体(21、22、23)并联连接有电容元件(C1、C2、C3)。而且,满足以下公式。这里,γ:旋磁比,μo:真空导磁率,Hin:内部磁场,Ms:饱和磁化强度,ω:角频率。γ(μ0Hin+Ms)≤ω。 | ||
搜索关键词: | 可逆 电路 元件 | ||
【主权项】:
一种不可逆电路元件,其特征在于,第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体,将第1中心导体的一端作为第1端口,将第2中心导体的一端作为第2端口,将第3中心导体的一端作为第3端口,第1端口与第1端子连接,第2端口与第2端子连接,第3端口与第3端子连接,第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体各自的另一端相互连接并且接地,分别针对第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体并联连接有电容元件,按照满足以下公式的方式设定内部磁场以及饱和磁化强度,(公式1)γ(μ0Hin+Ms)≤ωγ:旋磁比μo:真空导磁率Hin:内部磁场Ms:饱和磁化强度ω:角频率。
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