[发明专利]不可逆电路元件在审

专利信息
申请号: 201380024374.0 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN104272524A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 中嶋礼滋;牧野敏弘 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01P1/383 分类号: H01P1/383;H01P1/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种能够兼得小型化和低损耗的集中常数型的不可逆电路元件。在该不可逆电路元件中,第1中心导体(21)、第2中心导体(22)以及第3中心导体(23)以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体(20),将第1中心导体(21)的一端作为第1端口(P1),将第2中心导体(22)的一端作为第2端口(P2),将第3中心导体(23)的一端作为第3端口(P1)。第1端口(P1)与第1端子(41)连接,第2端口(P2)与第2端子(42)连接,第3端口(P3)与第3端子(43)连接。各中心导体(21、22、23)各自的另一端相互连接并且接地。分别针对各中心导体(21、22、23)并联连接有电容元件(C1、C2、C3)。而且,满足以下公式。这里,γ:旋磁比,μo:真空导磁率,Hin:内部磁场,Ms:饱和磁化强度,ω:角频率。γ(μ0Hin+Ms)≤ω。
搜索关键词: 可逆 电路 元件
【主权项】:
一种不可逆电路元件,其特征在于,第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体,将第1中心导体的一端作为第1端口,将第2中心导体的一端作为第2端口,将第3中心导体的一端作为第3端口,第1端口与第1端子连接,第2端口与第2端子连接,第3端口与第3端子连接,第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体各自的另一端相互连接并且接地,分别针对第1中心导体、第2中心导体以及第3中心导体并联连接有电容元件,按照满足以下公式的方式设定内部磁场以及饱和磁化强度,(公式1)γ(μ0Hin+Ms)≤ωγ:旋磁比μo:真空导磁率Hin:内部磁场Ms:饱和磁化强度ω:角频率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380024374.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top