[发明专利]防止相邻器件的短路的方法有效
| 申请号： | 201380025170.9 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104303276B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | J·常;M·A·吉罗恩;B·普兰萨蒂哈兰;J·W·斯莱特 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈新 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种防止相邻半导体器件的电气短路的方法。所述方法包括在基板(109)上形成多个场效应晶体管的多个鳍(101‑104)；在所述多个鳍中的第一(102)和第二(103)鳍之间形成至少一个阻挡结构(162)；以及从所述多个鳍生长外延膜(181‑188)，所述外延膜从至少所述第一和第二鳍的侧壁水平地延伸，并且抵达位于所述第一和第二鳍之间的阻挡结构。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 相邻 器件 短路 | ||
【主权项】：
一种防止相邻器件的短路的方法，包括：在基板(109)上形成多个场效应晶体管的多个鳍(101‑104)；形成覆盖所述多个鳍的牺牲层(141)；在所述牺牲层中产生开口(152)，所述开口位于第一鳍(102)和第二鳍(103)之间并且暴露其上形成有所述第一鳍和第二鳍的所述基板；用电介质材料(162)填充所述开口以直接在所述基板的顶部以及在所述多个鳍中的所述第一鳍和所述第二鳍之间形成至少一个阻挡结构(162)；以及从所述多个鳍生长外延膜(181‑188)，所述外延膜从至少所述第一鳍和第二鳍的侧壁水平地延伸，并且所述阻挡结构(162)防止所述第一鳍和第二鳍通过所述外延膜彼此接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
