[发明专利]Na添加光吸收层用合金及其制造方法以及太阳能电池有效
申请号: | 201380025411.X | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN104303266B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 吉野贤二;永冈章;广濑俊和;山下三香 | 申请(专利权)人: | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司;国立大学法人宫崎大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/0749 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 金鲜英,何杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能够高精度地控制Na向作为太阳能电池的光吸收层的CIGS膜或CIGSS膜的扩散,太阳能电池的制造也简单的CIGS4元系合金或CIGSS5元系合金及其制造方法。添加有Na的CIGS4元系合金的制造方法具备下述工序将包含铜、铟、镓的混合物真空封入到安瓿中,使其在高温结晶化而制造CIG3元系合金的第1工序,将CIG3元系合金粉碎而制造CIG3元系合金粉末的第2工序,以及在粉碎后的CIG3元系合金中混合硒和硒化钠并真空封入到安瓿中,使其在高温结晶化而制造CIGS4元系合金的第3工序。CIGSS5元系合金进一步包含硫,在第3工序中添加硫。 | ||
搜索关键词: | na 添加 光吸收 合金 及其 制造 方法 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种光吸收层用合金的制造方法,其特征在于,是制造在铜、铟、镓、硒中添加有Ia族元素的光吸收层用合金的方法,其具备下述工序:使包含铜、铟、镓的化合物在高温下结晶化而制造CIG3元系合金的第1工序,将所述CIG3元系合金粉碎而制造CIG3元系合金粉末的第2工序,以及在粉碎了的所述CIG3元系合金中混合硒和由Ia族与VIa族元素构成的化合物,使其在高温下结晶化而制造CIGS4元系合金的第3工序;其中,所述Ia族元素为钠,通过所述制造方法来制造防止因In单体和Se单体的混合、钠单体与水的化学反应而引起的发热、爆炸的含Na的CIGS4元系合金。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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