[发明专利]Na添加光吸收层用合金及其制造方法以及太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201380025411.X 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN104303266B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 吉野贤二;永冈章;广濑俊和;山下三香 申请(专利权)人: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司;国立大学法人宫崎大学
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L31/0749
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 金鲜英,何杨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供能够高精度地控制Na向作为太阳能电池的光吸收层的CIGS膜或CIGSS膜的扩散,太阳能电池的制造也简单的CIGS4元系合金或CIGSS5元系合金及其制造方法。添加有Na的CIGS4元系合金的制造方法具备下述工序将包含铜、铟、镓的混合物真空封入到安瓿中,使其在高温结晶化而制造CIG3元系合金的第1工序,将CIG3元系合金粉碎而制造CIG3元系合金粉末的第2工序,以及在粉碎后的CIG3元系合金中混合硒和硒化钠并真空封入到安瓿中,使其在高温结晶化而制造CIGS4元系合金的第3工序。CIGSS5元系合金进一步包含硫,在第3工序中添加硫。
搜索关键词: na 添加 光吸收 合金 及其 制造 方法 以及 太阳能电池
【主权项】:
一种光吸收层用合金的制造方法,其特征在于,是制造在铜、铟、镓、硒中添加有Ia族元素的光吸收层用合金的方法,其具备下述工序:使包含铜、铟、镓的化合物在高温下结晶化而制造CIG3元系合金的第1工序,将所述CIG3元系合金粉碎而制造CIG3元系合金粉末的第2工序,以及在粉碎了的所述CIG3元系合金中混合硒和由Ia族与VIa族元素构成的化合物,使其在高温下结晶化而制造CIGS4元系合金的第3工序;其中,所述Ia族元素为钠,通过所述制造方法来制造防止因In单体和Se单体的混合、钠单体与水的化学反应而引起的发热、爆炸的含Na的CIGS4元系合金。
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