[发明专利]具有纳米线存取晶体管的DRAM

摘要

一种半导体纳米线与环绕式半导体部分(30D)一体地形成，该环绕式半导体部分接触位于深沟槽上部部分并且接触深沟槽电容器的内部电极(16)的导电顶盖结构(18)的侧壁。半导体纳米线(30N)悬于埋入绝缘体层(20)上方。栅电介质层(32L)形成在包括半导体纳米线和环绕式半导体部分的半导体材料结构(30P)的表面上。环绕式栅电极部分(30D)绕半导体纳米线的中心部分形成并且形成栅分隔件(52)。去除图案化的半导体材料结构的物理暴露部分，执行选择性外延和金属化，以将半导体纳米线的源侧端部连接到导电顶盖结构。

主权项

一种半导体结构，包括：沟槽电容器(12、14、16)，所述沟槽电容器(12、14、16)嵌入基板(8)中并且包括内部电极(16)、节点电介质(14)和外部电极(12)：导电顶盖结构(18)，所述导电顶盖结构(18)覆在所述内部电极上方并与之接触；半导体纳米线(30N)，所述半导体纳米线(30N)覆在所述基板中的绝缘体层(20)上；源区(62)，所述源区(62)接触所述半导体纳米线的一端；以及源侧金属半导体合金部分(72)，所述源侧金属半导体合金部分(72)接触所述源区，其中所述半导体纳米线(30N)与所述绝缘体层的平整顶表面垂直分隔开，并且所述半导体纳米线的纵向方向平行于所述绝缘体层的所述平整顶表面，并且其中所述绝缘体层的所述平整顶表面与所述绝缘体层的与所述导电顶盖结构(18)邻接的弯曲顶表面邻接。