[发明专利]半导体构造及形成半导体构造的方法

摘要

一些实施例包含半导体构造。所述构造具有延伸穿过半导体裸片的导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料直接抵靠所述柱的所述上部表面。所述导电材料被配置为所述柱上方的帽。所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘。所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。一些实施例包含形成半导体构造的方法，所述半导体构造具有邻近穿晶片互连件的光敏材料，且具有在所述互连件的上部表面上方且直接抵靠所述上部表面并且直接抵靠所述光敏材料的上部表面的导电材料帽。

主权项

一种半导体构造，其包括：导电柱，其垂直地延伸穿过半导体裸片；所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的导电上部表面，且具有在所述背侧表面与所述导电上部表面之间延伸的导电垂直侧壁表面；光敏材料，其在所述背侧表面上方且与所述背侧表面物理接触；所述光敏材料直接抵靠所述导电侧壁表面且沿着所述导电侧壁表面；开口，其部分地延伸穿过所述光敏材料，所述开口围绕所述导电柱；第一导电材料，其直接抵靠所述柱的所述导电上部表面；所述导电材料被配置为所述柱上方的帽；所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘，所述边缘位于所述开口中；所述边缘的整体在所述光敏材料正上方；及第二导电材料，其位于第一导电材料上方并位于所述开口中。