[发明专利]用于制造光电子器件的方法和用于制造光电子器件的设备有效

专利信息
申请号: 201380027302.1 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN104302407B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: H-C.加尔迈尔;C.尤伦卡;I.施托尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;B05B5/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 杜荔南;胡莉莉
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 用于制造光电子器件的方法和用于制造光电子器件的设备。在不同实施例中提出一种用于制造光电子器件的方法,该方法具有:将光电子器件的发光物质层喷溅到衬底(104)上,其中所述发光物质层的物质或物质混合物在喷溅时具有电荷,并且其中经充电的物质或至少部分经充电的物质混合物在喷溅所述发光物质层时具有比衬底(104)的至少一个区域更高的电势;以及其中所喷溅的发光物质的发光物质层的厚度借助于衬底(104)上的电势梯度在喷溅所述发光物质层期间被局部地调整。
搜索关键词: 光电子器件 发光物质层 衬底 制造 物质混合物 充电 电势梯度 发光物质 电荷 电势
【主权项】:
1.用于制造光电子器件的方法,该方法具有:将光电子器件的发光物质层喷溅到衬底(104)上,其中所述发光物质层的物质或物质混合物在喷溅时具有电荷,并且其中经充电的物质或至少部分经充电的物质混合物在喷溅所述发光物质层时具有比衬底(104)的至少一个区域更大的电势,其中所喷溅的发光物质的发光物质层的厚度借助于衬底(104)上的电势梯度在喷溅所述发光物质层期间被局部地调整;局部测量喷溅到衬底表面上的发光物质层的厚度;以及基于所测量的层厚信息,借助射束光学设备局部调整所述经充电的物质或至少部分经充电的物质混合物的量,所述物质或物质混合物借助于喷嘴被施加到所述衬底上,所述物质或物质混合物借助于压力从所述喷嘴中喷溅,其中所述射束光学设备能够对所述物质或物质混合物的喷溅进行成型或定向。
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