[发明专利]用于制造光电子器件的方法和用于制造光电子器件的设备有效
申请号: | 201380027302.1 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN104302407B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | H-C.加尔迈尔;C.尤伦卡;I.施托尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;B05B5/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;胡莉莉 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于制造光电子器件的方法和用于制造光电子器件的设备。在不同实施例中提出一种用于制造光电子器件的方法,该方法具有:将光电子器件的发光物质层喷溅到衬底(104)上,其中所述发光物质层的物质或物质混合物在喷溅时具有电荷,并且其中经充电的物质或至少部分经充电的物质混合物在喷溅所述发光物质层时具有比衬底(104)的至少一个区域更高的电势;以及其中所喷溅的发光物质的发光物质层的厚度借助于衬底(104)上的电势梯度在喷溅所述发光物质层期间被局部地调整。 | ||
搜索关键词: | 光电子器件 发光物质层 衬底 制造 物质混合物 充电 电势梯度 发光物质 电荷 电势 | ||
【主权项】:
1.用于制造光电子器件的方法,该方法具有:将光电子器件的发光物质层喷溅到衬底(104)上,其中所述发光物质层的物质或物质混合物在喷溅时具有电荷,并且其中经充电的物质或至少部分经充电的物质混合物在喷溅所述发光物质层时具有比衬底(104)的至少一个区域更大的电势,其中所喷溅的发光物质的发光物质层的厚度借助于衬底(104)上的电势梯度在喷溅所述发光物质层期间被局部地调整;局部测量喷溅到衬底表面上的发光物质层的厚度;以及基于所测量的层厚信息,借助射束光学设备局部调整所述经充电的物质或至少部分经充电的物质混合物的量,所述物质或物质混合物借助于喷嘴被施加到所述衬底上,所述物质或物质混合物借助于压力从所述喷嘴中喷溅,其中所述射束光学设备能够对所述物质或物质混合物的喷溅进行成型或定向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380027302.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。